バー&スタック   :特長

Bars and Stacks

(OEM Diode Laser Components)

バー(bar)タイプのレーザダイオードコンポーネントとして、Unmounted Bars、パッケージタイプ、ファイバーカップリングタイプをご用意しています。また、スタック/アレイタイプのレーザダイオードコンポーネントとして、垂直アレイタイプ、水平アレイタイプをご用意しています。
バー(Bars)
Unmounted bars

コヒレント社のUnmounted Barsは、AAA(Aluminium-free Active Area)エピタキシャル構造により、高信頼性が実証されているバーをチップレベルでOEM提供致します。ご希望の波長、出力をご選択いただき、詳細仕様をご相談ください。


中心波長 出力
Unmounted Bars (CW) 780~830, 965~985, 1060, 1430~1470 nm * 40~100W
Unmounted Bars (QCW) 780~830 nm * 200, 300W

* 他の出力・波長も対応可能です。ご相談ください

仕様の詳細はこちらを参照ください。


Unmounted bars

UMB


パッケージタイプ

HCCPは、高効率な接触空冷式パッケージCCP(Conduction-Cooled Package)に独自のハードソルダ―技術(PulseLife)を採用したモデルで、過酷なOn-Off動作において20,000時間(MTTF)の長寿命を実現します。QCWモデルは75℃の高温での動作が可能です。


中心波長 出力
CCP (CW) 808, 880, 1060,1430,1470 nm 35~80W
CCP (QCW) 808, 880 nm 40~250W
HCCP (CW) 808, 975 nm 40~80W
HCCP (QCW) 808, 975 nm 40~80W

仕様の詳細はこちらを参照ください。


CCP

CCP

HCCP

HCCP


ファイバーカップリングタイプ

ファイバーカップリングタイプのFAPは1デバイスあたり最大出力ファイバー端70Wを達成、NA0.11~0.16以下で信頼性も大幅に向上し、 固体レーザ励起等に最適なモジュールです。2台以上を1つのファイバーにまとめることができるマルチFAPもご提案可能で、 波長も795 nm、808/810から940 nm及び980 nmまで幅広く取り揃えております。 特に940 nm、980 nmの最新マテリアルでは60%という高効率を実現しております。
(※下記では、標準モデルの波長を掲載しています。他の波長をご希望の際はお問い合わせください。)


中心波長 出力 ファイバーコア径
FAP600 808, 810, 980 nm 22~50W (CW) 600 μm
FAP800 795, 808, 810, 940, 980 nm 16~70W (CW) 810 μm

仕様の詳細はこちらを参照ください。


ファイバーカップリングタイプ

FAP600/800

スタック/アレイ(Stacks/Arrays)
垂直アレイタイプ
中心波長 出力 特長
Gスタック 808 nm 200W/バー QCW、
最大 3.2 kW QCW
高温動作においても長寿命を実現。レンズ付きモデル供給可。バーの数量:2から16本。

仕様の詳細はこちらを参照ください。


Gスタック

Gスタック


水平アレイタイプ

独自のマイクロチャネル冷却技術採用により、特別なヒートシンクや冷却水を用いる必要がありません。CW発振で最大200W、QCW発振で最大1 kWの出力モデルが供給可能です。


中心波長 出力
水平アレイ(CW) 
2/3バー
808 nm 40, 50W/バー、最大 150W
水平アレイ(CW) 
5バー
807 nm 40W/バー、最大 200W
水平アレイ(QCW)
5バー
808 nm 100, 200W/バー、最大 1 kW

仕様の詳細はこちらを参照ください。

水平アレイ

水平アレイ

水平アレイ(tileable)

水平アレイ(tileable)

水平アレイ(QCW)

水平アレイ(QCW)


本仕様は予告なく変更される場合がございます。仕様及び製品保証の詳細条件については、ご契約時に必ずご確認ください。