コントローラ内蔵 超小型全固体レーザ(UV~IR)
(オービス)
長寿命 ファイバー出力モデル NEW!
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| OBIS フリースペースタイプ | OBIS FP ファイバー出力タイプ | ||
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| モデル名 | 発振波長 (nm)
| OBIS 出力 (mW) | OBIS FP 出力(mW) |
OBIS 375 LX |
375 |
16 |
- |
OBIS 405 LX |
405 |
50, 100 |
50 |
OBIS 445 LX |
445 |
75 |
45 |
OBIS 488 LS |
488 |
20 |
- |
OBIS 488 LX | 488 |
50 |
30 |
OBIS 514 LS |
514 |
20 |
- |
OBIS 552 LS |
552 |
20 |
- |
OBIS 637 LX |
637 |
140 |
100 |
OBIS 640 LX |
640 |
40, 100 |
75 |
OBIS 647 LX |
647 |
120 |
100 |
OBIS 660 LX |
660 |
100 |
75 |
OBIS 685 LX |
685 |
40 |
- |
|
OBIS 730 LX |
730 |
30 |
- |
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OBIS 785 LX |
785 |
50 |
-
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※今後発振波長モデル拡張予定です。詳しくはこちらまでお問い合わせください。
OBISシリーズは、波長によりLXモデルは「レーザダイオード技術」、LSモデルは「光励起半導体レーザ(OPSL)技術」を採用しています。
<レーザダイオード技術>
OBIS LXモデルは、産業用レーザデザインをリードするダイオードモジュールです。ESD対策が施されており、TEC(サーモエレクトリックコントローラ)を用いて熱的な制御を行うことにより安定化が図られています。更には、ユニット間のばらつきの少ない優れた空間モード性能を実現しています。
<光励起半導体レーザ(OPSL)技術>
OBIS LSモデルは、コヒレント社の独自技術である光励起半導体レーザ(OPSL)技術を利用しており、当技術は従来の固体レーザでは実現し得なかった、小型、高出力、低コスト、高性能、高信頼性を同時に実現する技術として注目されています。
OPSL技術を用いた製品はすでに25,000台以上の導入実績と、50,000時間以上のフィールド動作実績を誇る注目の次世代レーザとして認知されています。
<OPSL共振器構造(コヒレント社特許技術)>
励起媒体にInGaAs系量子井戸式半導体レーザを用い、励起用高出力長寿命InGaAsP系半導体チップ全体に照射し、縦励起する手法〔面発光〕を用いている。出力ミラーを配置し共振器を組んでいるため、LDと比較した場合空間モードに優れています。

出力や動作状態をモニタリング可能
・コントローラ内蔵、DC入力だけで動作可能
・インタフェースはUSB、アナログ、RS485を装備

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本仕様は予告なく変更される場合がございます。仕様及び製品保証の詳細条件については、ご契約時に必ずご確認ください。